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自組裝法制備高導(dǎo)熱氮化硼復(fù)合材料
信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2023-07-04 13:41:30 | 瀏覽量:382286
隨著集成電路芯片和電子設(shè)備小型化的快速發(fā)展,為防止芯片的熱失控,對熱管理材料提出了更嚴格的要求。此外,電子封裝材料經(jīng)常會遇到應(yīng)力破壞和漏電等嚴重問題。因此同時具有出色的電絕緣性和導(dǎo)熱性的熱界面材料成為了重點的研究方向。然而,導(dǎo)熱系數(shù)的提高受到填料的含量…
隨著集成電路芯片和電子設(shè)備小型化的快速發(fā)展,為防止芯片的熱失控,對熱管理材料提出了更嚴格的要求。此外,電子封裝材料經(jīng)常會遇到應(yīng)力破壞和漏電等嚴重問題。因此同時具有出色的電絕緣性和導(dǎo)熱性的熱界面材料成為了重點的研究方向。
然而,導(dǎo)熱系數(shù)的提高受到填料的含量和結(jié)構(gòu)的限制。此外,當填充量高時,由于界面相互作用弱和應(yīng)力集中,復(fù)合材料的力學(xué)性能往往不理想。高填充量與高強度往往是相互矛盾的,這是復(fù)合材料機械加固的經(jīng)典問題。
為了解決這個問題,研究人員采用不同的方法,如逐層組裝、模板定向組裝、機械輔助壓制和磁場輔助等廣泛發(fā)展用于制備納米復(fù)合材料。但由于效率低和路線復(fù)雜,這些策略無法實現(xiàn)大規(guī)模連續(xù)制備,這在實際應(yīng)用中是非常不可取的。
二維BN具有較高的理論導(dǎo)熱系數(shù)和優(yōu)異的絕緣性能,是開發(fā)高導(dǎo)熱擬納米復(fù)合材料的合適候選填料。但是,由于高慣性和相對較大的厚度,h-BN在溶液中直接自組裝的報道很少。因此,研究h-BN的誘導(dǎo)取向?qū)τ趯崿F(xiàn)功能復(fù)合材料的規(guī)?;苽渚哂兄匾饬x。
02
成果掠影
近期,華東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院的張玲教授在開發(fā)一種適合規(guī)模化熱界面材料制備技術(shù)方向取得新的進展。該團隊受天然珍珠特殊結(jié)構(gòu)和功能的啟發(fā),通過綠色、簡單的蒸發(fā)誘導(dǎo)組裝技術(shù),可以大規(guī)模制備具有優(yōu)異導(dǎo)熱系數(shù)、高絕緣性和堅固力學(xué)性能的納米級CS/BNNS薄膜。
值得注意的是,CS/BNNS薄膜在70 wt%時的拉伸強度高達104.5 MPa, 導(dǎo)熱系數(shù)為26.3 W/(m·K),這是由于其取向良好的結(jié)構(gòu)和強的界面相互作用。CS/BNNS復(fù)合薄膜作為一種熱界面材料,在LED模組中表現(xiàn)出較強的散熱能力,在電子器件散熱方面具有廣闊的應(yīng)用前景這種構(gòu)造具有定向結(jié)構(gòu)的仿珍珠復(fù)合薄膜的方法在新型便攜式電子設(shè)備的散熱方面具有潛在的應(yīng)用前景。
研究成果以“Superior thermally conductive, mechanically strong and electrically insulating nacremimetic chitosan/boron nitride nanosheet composite via evaporation-induced selfassembly method”為題發(fā)表于《Polymer》。
圖2.(a) FTIR譜圖, (b) TGA 曲線, XPS 圖的h-BN和BNNS (c) B 1s和(d) N 1s。
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