重磅！世界級(jí)的半導(dǎo)體新材料巨頭--中兵紅箭（氮化硼巨頭）

      注：在未來(lái)的后摩爾時(shí)代里，各國(guó)之間勢(shì)必要爭(zhēng)奪半導(dǎo)體材料研發(fā)的新領(lǐng)域，新材料，新應(yīng)用，將帶給行業(yè)不斷的活力。而臺(tái)積電研發(fā)出的氮化硼材料，正是為這個(gè)時(shí)代開(kāi)啟大門的一把鑰匙，為未來(lái)百花齊放的時(shí)代打下基礎(chǔ)，也是半導(dǎo)體制程的一個(gè)里程碑近日，臺(tái)灣交通大學(xué)聯(lián)手臺(tái)積電成功研制出了一種全球最薄、厚度只有0.7納米的基于氮化硼（簡(jiǎn)稱BM)的超薄二維半導(dǎo)體絕緣材料，這種材料可讓芯片業(yè)界突破現(xiàn)有的工藝達(dá)到1nm的程度，該成果已經(jīng)發(fā)表在了最新的一期自然期刊上。這對(duì)于中國(guó)芯片的業(yè)界來(lái)說(shuō)，絕對(duì)是一個(gè)好消息，雖然目前中國(guó)已經(jīng)能夠量產(chǎn)14nm的芯片了，14nm的芯片也占到了目前為止市面以上的6成，這意味著具有生產(chǎn)14nm以上的能力就已經(jīng)具備了芯片生產(chǎn)的基本能力。但是14nm的生產(chǎn)技術(shù)放在當(dāng)今世界上是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足夠的，畢竟中國(guó)現(xiàn)在是世界上消耗芯片最多的國(guó)家，但是只有中芯國(guó)際具有14nm的生產(chǎn)技術(shù)，但像其他公司已經(jīng)具有了7nm甚至5nm的生產(chǎn)技術(shù)，我們不應(yīng)該站在14nm的進(jìn)度上觀望。

      臺(tái)積電處長(zhǎng)李連忠表示，交大的化學(xué)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)跟臺(tái)積電的技術(shù)人員通過(guò)不斷的突破和技術(shù)研究，雖然最近還無(wú)法說(shuō)明量產(chǎn)時(shí)間，但雙方已經(jīng)成功地讓新材料生長(zhǎng)的銅上作為一個(gè)保護(hù)半導(dǎo)體材料的通道。目前為止這種材料還有很多地方需要優(yōu)化，例如元件優(yōu)化和金屬接觸，但是我們也很有時(shí)間和決心來(lái)等待這個(gè)半導(dǎo)體材料的里程碑。氮化硼材料是一種出色的絕緣體，能夠很好地隔絕金屬，但氮化硼材料也并非是最近研發(fā)的新材料。憑借著氮化硼優(yōu)秀的絕緣體性能，臺(tái)積電將在制程工藝上更進(jìn)一步。但當(dāng)臺(tái)積電將腳步邁的更遠(yuǎn)得時(shí)候，也是需要付出一些代價(jià)的，因?yàn)檫@種材料并不適配于臺(tái)積電的最新技術(shù)，例如5nm工藝材料的芯片。因?yàn)橄?nm之前的工藝材料都是一些氧化物的絕緣體，很容易讓一些電子黏在上面從而導(dǎo)致電流的不易通過(guò)，造成芯片難以運(yùn)行。

      總而言之，今年來(lái)的技術(shù)不斷發(fā)展，讓人認(rèn)為摩爾定律已經(jīng)不管用了，但臺(tái)積電的發(fā)明又推進(jìn)了摩爾定律的發(fā)展。在科學(xué)理論上，一旦材料的制程低于5nm，那么這種材料就將處于一個(gè)量子領(lǐng)域，晶體管之間將變得非常不穩(wěn)定，及其容易發(fā)生隧穿效應(yīng)。在未來(lái)的后摩爾時(shí)代里，各國(guó)之間勢(shì)必要爭(zhēng)奪半導(dǎo)體材料研發(fā)的新領(lǐng)域，新材料，新應(yīng)用，新領(lǐng)域，將帶給行業(yè)不斷的活力。而臺(tái)積電研發(fā)出的氮化硼材料，正是為這個(gè)時(shí)代開(kāi)啟大門的一把鑰匙，為未來(lái)百花齊放的時(shí)代打下基礎(chǔ)，也是半導(dǎo)體制程的一個(gè)里程碑。