歡迎訪問 納樸材料 官方網(wǎng)站！
聯(lián)系我們：18970647474
當(dāng)前位置：首頁 > 新聞中心 > 行業(yè)新聞
新聞中心
news Center
聯(lián)系我們
Contact Us

蘇州納樸材料科技有限公司

聯(lián)系人：

李女士

Contact:

Ms. Li

手機(jī)：

18970647474(同微信)

Mobile Phone:

+86-18970647474
(WeChat ID)

郵箱：

2497636860@qq.com

E-mail:

2497636860@qq.com

技術(shù)聯(lián)系人：

徐先生

Technical Contact:

Mr. Xu

手機(jī)：

18914050103(同微信)

Mobile Phone:

+86-18914050103
(WeChat ID)

郵箱：

nanopure@qq.com

E-mail:

nanopure@qq.com

辦公室地址：

蘇州市相城區(qū)聚茂街185號(hào)D棟11層1102

Office Address:

D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China

工廠地址：

江西省吉安市井岡山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)

Plant Address:

Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China

5N高純熱解氮化硼產(chǎn)品及其應(yīng)用

信息來源：本站 | 發(fā)布日期： 2021-01-20 08:18:05 | 瀏覽量：945327

摘要：

熱解氮化硼英文名為PyrolyticBoron Nitride，簡稱為Pyrolytic BN或PBN，也稱為Chemicalvapour-deposited Boron Nitride、ChemicalVapour-deposition of BoronNitride或CVD-BN等。顧名思義這是一種通過化學(xué)氣相沉積法通過高溫?zé)峤夥磻?yīng)制備獲得的一種氮化硼。它在高溫、高…

熱解氮化硼英文名為PyrolyticBoron Nitride，簡稱為Pyrolytic  BN或PBN，也稱為Chemicalvapour-deposited Boron Nitride、ChemicalVapour-deposition of BoronNitride或CVD-BN等。顧名思義這是一種通過化學(xué)氣相沉積法通過高溫?zé)峤夥磻?yīng)制備獲得的一種氮化硼。它在高溫、高真空條件下，由氨和硼的鹵化物進(jìn)行化學(xué)氣相沉積（CVD）而成，既可以沉積成PBN薄板材料，也可以直接沉積成管、環(huán)或薄壁容器等PBN最終產(chǎn)品。屬于六方晶系。熱解氮化硼的主要特點(diǎn)是純度非常非常非常高，可達(dá)到99.999%以上，（熱壓氮化硼通常只有約99%的純度）在許多尖端材料制備領(lǐng)域有著不可替代的作用。
材料特點(diǎn)
它與普通的熱壓氮化硼(BN)不同，不必經(jīng)過傳統(tǒng)的熱壓燒結(jié)過程，不添加任何燒結(jié)劑，因此獲得的產(chǎn)品具有如下顯著特點(diǎn)：
1、無毒、無味；2、純度高，達(dá)到99.999%以上；3、室溫下與酸、堿、鹽及有機(jī)試劑不反應(yīng)，在熔融的鹽、堿液中略腐蝕，但能抗高溫下各種酸的腐蝕；4、與大多數(shù)熔融金屬、半導(dǎo)體及其化合物不反應(yīng)；5、在1000℃以下，抗氧化性能良好；6、抗熱震性能良好，2000℃投入水中未見裂紋；7、使用溫度高，無升華點(diǎn)，在3000℃以上直接分解為B和N；8、電阻高，電絕緣性能好；9、表面光滑，無氣孔，與大多數(shù)半導(dǎo)體熔體不濕潤。
應(yīng)用領(lǐng)域
熱解氮化硼（PBN）材料具有高純度、化學(xué)惰性以及優(yōu)異的結(jié)構(gòu)和性能使其成為元素提純、化合物及化合物半導(dǎo)體晶體生長的理想容器，同時(shí)還廣泛應(yīng)用于航空、航天、電子、化工、特種冶金、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域。
1、GaAs、InP單晶生長容器
化合物半導(dǎo)體單晶（比如GaAs、InP等）的生長需要極其嚴(yán)格的環(huán)境，包括溫度、原料純度以及生長容器純度等。PBN是目前化合物半導(dǎo)體單晶生長用最為理想的容器，無可替代。化合物半導(dǎo)體單晶生長方法目前主要有液封直拉法（LEC）、水平布里曼法（HB）和垂直布里曼法（VB和VGF）等方法，對應(yīng)的PBN有LEC坩堝、VB坩堝和VGF坩堝等等；
注：VGF是目前國際上生長GaAs和InP等化合物半導(dǎo)體單晶的主流技術(shù)。而熱解氮化硼VGF坩堝則是垂直梯度凝固法（VGF）生長化合物單晶的容器。熱解氮化硼坩堝制備原理：利用化學(xué)氣相淀積技術(shù)，根據(jù)產(chǎn)品的需要，可選用不同的芯模做成各種形狀，生成的物質(zhì)（六方氮化硼）覆蓋在芯模上即涂層，脫模取下就是高純的殼體，即所需的坩堝。

相關(guān)文章 (related information)
相關(guān)產(chǎn)品 (Related Products)

Copyright 2020 蘇州納樸材料科技有限公司 蘇ICP備16022635號(hào)-1 版權(quán)聲明 技術(shù)支持：江蘇東網(wǎng)科技 [后臺(tái)管理]
Top