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立方氮化硼表面復(fù)合處理方法、立方氮化硼磨粒、應(yīng)用
信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2021-01-30 09:55:02 | 瀏覽量:945001
技術(shù)領(lǐng)域譯[0001] 本發(fā)明涉及材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種立方氮化硼表面復(fù)合處理方法、立方氮化硼磨粒、應(yīng)用。譯背景技術(shù)譯[0002] 立方氮化硼作為一種人工合成的新型材料,具有很高的硬度,耐磨性好,還具有熱穩(wěn)定性和化學(xué)惰性,以及良好的透紅外形和較寬的禁帶寬度…
技術(shù)領(lǐng)域
譯
背景技術(shù)
譯
發(fā)明內(nèi)容
譯
1)將立方氮化硼中加入氫氧化鈉和氫氧化鉀混合均勻,再放入鈦合金鍋內(nèi),然后將鈦合金鍋放入坩堝爐內(nèi),溫度設(shè)定在300-400℃進(jìn)行保溫1-4 h,得到混合物料;
2)將上述鈦合金鍋內(nèi)的混合物料取出,用純凈水沖洗至中性,然后再將沖洗后的混合物料置于不銹鋼盤內(nèi)并放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行超聲清洗15-25min,烘干,得到清洗后的立方氮化硼,備用;
3)利用磁控濺射原理,在所述的清洗后的立方氮化硼表面磁控濺射以覆蓋一層鈦膜,得到覆蓋鈦膜的立方氮化硼;
4)在所述的覆蓋鈦膜的立方氮化硼表面利用化學(xué)沉積方法進(jìn)行鍍鎳(鍍一層鎳),得到立方氮化硼磨粒。
附圖說明
譯
具體實(shí)施方式
譯
2)將上述鈦合金鍋內(nèi)的混合物料取出,用純凈水沖洗至中性,然后再將沖洗后的混合物料置于不銹鋼盤內(nèi)并放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行超聲清洗15-25min,烘干,得到清洗后的立方氮化硼,備用;
3)利用磁控濺射原理,在所述的清洗后的立方氮化硼表面磁控濺射以覆蓋一層鈦膜,得到覆蓋鈦膜的立方氮化硼;
4)在所述的覆蓋鈦膜的立方氮化硼表面利用化學(xué)沉積方法進(jìn)行鍍鎳(鍍一層鎳),得到立方氮化硼磨粒。
2)將立方氮化硼中加入氫氧化鈉和氫氧化鉀混合均勻,再放入鈦合金鍋內(nèi),然后將鈦合金鍋放入坩堝爐內(nèi),溫度設(shè)定在300-400℃進(jìn)行加熱保溫1-4 h,得到混合物料;具體的,用氫氧化鈉和氫氧化鉀混合和上步的立方氮化硼充分混合,三樣物品的質(zhì)量百分比含量為氫氧化鈉(20-30wt%)氫氧化鉀(10-30wt%)立方氮化硼(40-70wt%),具體含量需要根據(jù)不同粒度和型號進(jìn)行配比,凡是在上述范圍皆在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi);
3)將上述鈦合金鍋內(nèi)的混合物料取出,用純凈水沖洗至中性,然后再將沖洗后的混合物料置于不銹鋼盤內(nèi)并放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)清洗15-25min,烘干,得到清洗后的立方氮化硼,備用;
4)利用磁控濺射原理,在所述的清洗后的立方氮化硼表面磁控濺射以覆蓋一層鈦膜,得到覆蓋鈦膜的立方氮化硼;所述磁控濺射采用的磁控濺射機(jī)為現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備(本發(fā)明使用的磁控濺射機(jī)功率最大為10kW(千瓦)),磁控濺射覆蓋在所述的清洗后的立方氮化硼上面的鈦膜具有非常強(qiáng)的結(jié)合力;進(jìn)一步的,所述磁控濺射采用的基體為鈦板,所述磁控濺射采用的功率為3-6kW,最大是10kW,真空度一般保持在0.3Pa以下;再進(jìn)一步的,設(shè)定好相應(yīng)的參數(shù)后,根據(jù)需要一般保持磁控濺射機(jī)工作4-20h,完成后將覆蓋鈦膜的立方氮化硼物料取出以便后面使用;
5)將所述的覆蓋鈦膜的立方氮化硼進(jìn)行敏化與活化的步驟,所述敏化是將所述的覆蓋鈦膜的立方氮化硼置于SnCl2溶液中進(jìn)行敏化處理,所述活化是在敏化后進(jìn)行水洗,再置于PdCl2溶液中進(jìn)行活化處理;
6)將活化處理過的立方氮化硼置于水浴鍋內(nèi),水浴溫度60-85℃,利用化學(xué)沉積方法進(jìn)行鍍鎳(鍍一層鎳),具體是加入配好的化學(xué)鍍液(可以采用現(xiàn)有的鍍鎳溶液,一般以硫酸鎳、乙酸鎳等為主鹽,次亞磷酸鹽、硼氫化鈉、硼烷、肼等為還原劑,再添加各種助劑,具體根據(jù)需求進(jìn)行選擇,這里并不作限定)反應(yīng)30-90min,最后將物料沖洗至中性,低溫烘干,得到立方氮化硼磨粒。
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2024-10-31 11:10:44
電子產(chǎn)品越來越輕薄、越來越高效,但有一個(gè)問題始終困擾著工程師們,那就是——散熱。想象一下,你的手機(jī)芯片堆疊得像摩天大樓一樣,卻只能靠小風(fēng)扇來“…
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2024-10-24 11:59:53
英國科學(xué)家破解室溫下量子信息存儲難題】劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)在層狀二維材料六方氮化硼中發(fā)現(xiàn)關(guān)鍵的“單原子缺陷”,能在室溫條件下使量子…
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2024-10-15 09:49:51
常見的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級平整等特點(diǎn),被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持h…
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2024-10-07 09:23:20
多數(shù)晶體內(nèi)原子、分子排列并非完美無暇,也因此會形成晶體缺陷,而科學(xué)家最近發(fā)現(xiàn)層狀二維材料存在的單原子缺陷,竟無需其他特殊條件就可在室溫下保留幾…
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2024-09-28 09:33:56
氮化硼是由氮原子和硼原子構(gòu)成的晶體,除了常見的六方氮化硼(白石墨)外,還有立方氮化硼(CBN)、菱方氮化硼(RBN)、纖鋅礦型氮化硼(WBN)等變體,…
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2024-09-20 15:44:30
氮化硼(Boron Nitride, BN)是一種重要的無機(jī)化合物,廣泛應(yīng)用于電子、新能源、航空航天等多個(gè)高科技領(lǐng)域。其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),如高熱導(dǎo)率、電絕…