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低維碳——氮化硼聯(lián)合體系的電容器效應(yīng)研究

信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2021-08-02 08:53:07 | 瀏覽量:939012

摘要:

一維碳——氮化硼納米管和二維石墨烯——氮化硼片層聯(lián)合體系,由于其比單一的碳原子體系呈現(xiàn)出更豐富的物理特性,越來越受到科學(xué)家們的關(guān)注。目前,人們對低維碳——氮化硼聯(lián)合系統(tǒng)的研究才剛剛開始,體系的摻雜效應(yīng)及電荷分布背后物理機制的理論研究還不夠透徹。因此,對…

一維碳——氮化硼納米管和二維石墨烯——氮化硼片層聯(lián)合體系,由于其比單一的碳原子體系呈現(xiàn)出更豐富的物理特性,越來越受到科學(xué)家們的關(guān)注。目前,人們對低維碳——氮化硼聯(lián)合系統(tǒng)的研究才剛剛開始,體系的摻雜效應(yīng)及電荷分布背后物理機制的理論研究還不夠透徹。因此,對低維碳——氮化硼聯(lián)合系統(tǒng)的摻雜效應(yīng)進行深入研究是很有必要的。從結(jié)構(gòu)上來看,碳——氮化硼納米管類似于一個圓柱形電容器,而層狀堆垛的石墨烯和氮化硼片層則類似于平板電容器。本項目擬采用密度泛函理論等方法,對碳——氮化硼納米管和石墨烯——氮化硼片層的電容器效應(yīng)進行研究,以此來檢驗納尺度下的經(jīng)典電荷屏蔽行為,探索體系摻雜效應(yīng)的內(nèi)部物理機制。項目將有效解決低維體系摻雜效應(yīng)的內(nèi)稟機制問題,結(jié)果有利于開展對納尺度電子器件的設(shè)計,有效推動納米材料在電子器件方面的應(yīng)用。

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