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科學(xué)家實(shí)現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調(diào)控
信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2023-07-17 10:34:01 | 瀏覽量:376076
六方氮化硼(hBN)是具有與石墨烯類似的六角網(wǎng)狀晶格結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體,其大帶隙和絕緣性質(zhì)使其成為極佳的介質(zhì)襯底材料,同時限制了其在電子學(xué)和光電子學(xué)器件中更廣泛的應(yīng)用。與hBN片層不同,hBN納米帶(BNNR)可以通過引入空間和靜電勢的約束表現(xiàn)出可變的帶隙。計算預(yù)…
六方氮化硼(hBN)是具有與石墨烯類似的六角網(wǎng)狀晶格結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體,其大帶隙和絕緣性質(zhì)使其成為極佳的介質(zhì)襯底材料,同時限制了其在電子學(xué)和光電子學(xué)器件中更廣泛的應(yīng)用。與hBN片層不同,hBN納米帶(BNNR)可以通過引入空間和靜電勢的約束表現(xiàn)出可變的帶隙。計算預(yù)測,橫向電場可以使BNNRs帶隙變窄,甚至導(dǎo)致其出現(xiàn)絕緣體-金屬轉(zhuǎn)變。然而,如何通過實(shí)驗(yàn)在BNNR上引入較高的橫向電場頗具挑戰(zhàn)性。
近日,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員王浩敏課題組、南京航空航天大學(xué)教授張助華團(tuán)隊、中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所研究員胡偉達(dá)團(tuán)隊開展研究。合作團(tuán)隊對水吸附鋸齒型BNNR(zBNNR)的帶隙調(diào)制進(jìn)行系統(tǒng)研究。計算結(jié)果表明,吸附在zBNNR兩側(cè)的水產(chǎn)生了超過2 V/nm的橫向等效電場,從而縮小zBNNR的帶隙。通過邊緣吸附水分子,研究首次測量了zBNNR器件的柵極調(diào)制輸運(yùn)和其對紅外光譜的光電響應(yīng),這利于基于hBN的光電性質(zhì)的同質(zhì)集成。該研究為實(shí)現(xiàn)基于六方氮化硼的電子/光電子器件和電路提供了新思路。
相關(guān)研究成果以Water induced bandgap engineering in nanoribbons of hexagonal boron nitride為題,在線發(fā)表在《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)上。
研究工作得到國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)(B類)、國家重點(diǎn)研發(fā)計劃與博士后創(chuàng)新人才支持計劃等的支持。
▲a.?在hBN表面上,Zn納米粒子蝕刻出兩個平行溝槽之間的zBNNR;b.?不同寬度BNNR的原子力顯微鏡(AFM)高度圖像。比例尺為50 nm。c.?水分子以六方冰形式吸附在zBNNR兩側(cè)邊緣的結(jié)構(gòu)示意圖,由此誘導(dǎo)產(chǎn)生橫向電場。
▲a.?8nm寬的zBNNR器件在300K下,Vds從1V到50V,背柵電壓Vg從-65V到65V下的輸運(yùn)曲線,開/關(guān)比超過103;b.?不同寬度zBNNR的輸運(yùn)曲線;c.?器件的場效應(yīng)和光電流開/關(guān)比與zBNNR寬度的關(guān)系;d.?在功率為35mW的1060nm激光照射下,兩個zBNNR器件中隨時間變化的光電流。它們的寬度分別為33nm和8.5nm。
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2024-10-15 09:49:51
常見的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級平整等特點(diǎn),被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持h…
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2024-10-07 09:23:20
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2024-09-28 09:33:56
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2024-09-20 15:44:30
氮化硼(Boron Nitride, BN)是一種重要的無機(jī)化合物,廣泛應(yīng)用于電子、新能源、航空航天等多個高科技領(lǐng)域。其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),如高熱導(dǎo)率、電絕…
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2024-09-14 08:27:33
莫爾超晶格已被證明是一個非常豐富的材料平臺,通過改變扭轉(zhuǎn)角、摻雜或電場來設(shè)計電子帶,可以實(shí)現(xiàn)不同的物質(zhì)相。然而,現(xiàn)有的莫爾系統(tǒng)在各個方面都存在…
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2024-09-07 08:26:32
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