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六方相-氮化硼(h-BN)二維材料MOCVD制備技術探索研究招標公告
信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2021-05-24 13:10:39 | 瀏覽量:941928
研究目標與內容:范德華(vdW)二維異質結不依賴于化學鍵,也不受限于材料的晶格匹配度,能夠將具有完全不同性能的材料集成到一起構建全新的界面,有利于創(chuàng)建更廣泛的材料構筑單X,實現(xiàn)多種新型電子X件。實現(xiàn)vdW二維異質結的前提是研制高性能二維材料。二維材料h-BN具有原子…
研究目標與內容:
范德華(vdW)二維異質結不依賴于化學鍵,也不受限于材料的晶格匹配度,能夠將具有完全不同性能的材料集成到一起構建全新的界面,有利于創(chuàng)建更廣泛的材料構筑單X,實現(xiàn)多種新型電子X件。實現(xiàn)vdW二維異質結的前提是研制高性能二維材料。二維材料h-BN具有原子層級的平X表面、低介電系數(shù)、高化學和熱穩(wěn)定性、介電強度高等特點,與單層石墨烯等結合形成vdW異質結,具有雜化等離子-聲子模型的特性,可用于室溫超導體、新型場效應管、能量收集器等?;赬在藍寶石等單晶襯底上開展h-BN材料的生長工藝及各類微結構缺陷的形成演變研究,探索不同生長模式的外延模型及物理機制,實現(xiàn)晶圓級二維h-BN材料的研制;同時建立h-BN材料質量及性能的表征技術,揭示材料的微觀內在特性;并研究GaN HEMT外延材料在二維h-BN表面生長機理,在h-BN表面實現(xiàn)高性能GaN HEMT外延材料,為無損vdW襯底轉移技術及提升GaN微波器件性能奠定材料基礎。
項目指標:
(1)二維h-BN材料原子層數(shù)≤5-6層,5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.5nm,拉曼光譜E2g模式h-BN半高寬≤X cm-1; (2)在二維h-BN材料表面研制的GaN HEMT外延材料,5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.8nm,2μm厚GaN(X)/(X)晶面x射線雙晶搖擺曲線半高寬X別≤0.X°和≤0.X°,圓片彎曲度Bow≤Xμm,2DEG遷移率≥X cm2/(V·s)。
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