六方相-氮化硼(h-BN)二維材料MOCVD制備技術探索研究招標公告

研究目標與內容：

范德華(vdW)二維異質結不依賴于化學鍵，也不受限于材料的晶格匹配度，能夠將具有完全不同性能的材料集成到一起構建全新的界面，有利于創(chuàng)建更廣泛的材料構筑單X，實現(xiàn)多種新型電子X件。實現(xiàn)vdW二維異質結的前提是研制高性能二維材料。二維材料h-BN具有原子層級的平X表面、低介電系數(shù)、高化學和熱穩(wěn)定性、介電強度高等特點，與單層石墨烯等結合形成vdW異質結，具有雜化等離子-聲子模型的特性，可用于室溫超導體、新型場效應管、能量收集器等?；赬在藍寶石等單晶襯底上開展h-BN材料的生長工藝及各類微結構缺陷的形成演變研究，探索不同生長模式的外延模型及物理機制，實現(xiàn)晶圓級二維h-BN材料的研制；同時建立h-BN材料質量及性能的表征技術，揭示材料的微觀內在特性；并研究GaN HEMT外延材料在二維h-BN表面生長機理，在h-BN表面實現(xiàn)高性能GaN HEMT外延材料，為無損vdW襯底轉移技術及提升GaN微波器件性能奠定材料基礎。

項目指標：

（1）二維h-BN材料原子層數(shù)≤5-6層，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.5nm，拉曼光譜E2g模式h-BN半高寬≤X cm-1； （2）在二維h-BN材料表面研制的GaN HEMT外延材料，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.8nm，2μm厚GaN(X)/(X)晶面x射線雙晶搖擺曲線半高寬X別≤0.X°和≤0.X°，圓片彎曲度Bow≤Xμm，2DEG遷移率≥X cm2/(V·s)。